Công ty Everspin Technologies vừa chính thức giới thiệu một loại bộ nhớ gọi là Spin-Torque Magnetoresistive RAM (ST-MRAM). Đây là loại chip nhớ hiệu năng cao và có độ trễ cực thấp "được kì vọng sẽ chuyển đổi kiến trúc lưu trữ và giúp định luật Moore tiếp tục tiến hóa". ST-MRAM hoạt động bằng cách tận dụng spin (moment động lượng tự quay) của electron để lưu dữ liệu bằng trạng thái từ tính thay vì sử dụng trạng thái điện tử. Lợi điểm của ST-MRAM đó là nó không bị hỏng sau một thời gian dài ghi xóa dữ liệu như chip nhớ NAND flash, trong khi vẫn có được tốc độ cao như bộ nhớ biến động DRAM. Đây là lần đầu tiên công nghệ lưu trữ loại ST-MRAM được thương mại hóa.
Everspin cho biết rằng con chip nhớ ST-MRAM chuẩn DDR3 đầu tiên do họ sản xuất có dung lượng chỉ 64 megabit (tương đương 8 megabyte hay MB) và đắt hơn bộ nhớ flash đến 50 lần, tuy nhiên tốc độ của nó là 400.000 IOPS (input output per second) ở chế độ ngẫu nhiên, gấp 500 lần so với con số 800 IOPS của chip flash. Nếu xét về mặt băng thông thì chip này có thể truyền tải 3,2GB dữ liệu trong mỗi giây với độ trễ chỉ ở mức nano giây.
Chính vì lợi điểm trên, ST-MRAM có thể được áp dụng làm bộ nhớ đệm cho các SSD cao cấp phục vụ trong môi trường doanh nghiệp hoặc các hệ thống lưu trữ RAID. Những trung tâm dữ liệu và nhà cung cấp dịch vụ điện toán đám mây cũng có thể dùng công nghệ của Everspin để tăng hiệu năng hệ thống. Dự kiến đến năm 2013, các chip ST-MRAM sẽ được phân phối rộng rãi đến các đối tác. Trong tương lai, Everspin cho biết họ sẽ sản xuất những phiên bản mới của bộ nhớ ST-MRAM với dung lượng và tốc độ cao hơn.
Bên cạnh ST-MRAM, một số công nghệ mới như Phase Change Memory hay Memristor đang được xem là tương lai của các thiết bị lưu trữ dài hạn với độ trễ thấp và mang lại tốc độ cao hơn nhiều so với chip flash, mặc dù hiện tại chúng chưa phổ biến và giá còn cao.
Một thanh RAM dung lượng 64MB dùng chip nhớ ST-MRAM của Everspin
Theo ComputerWorld, Everspin
