[TAG]Intel[/TAG] và [TAG]Micron[/TAG] đã chính thức giới thiệu chip nhớ [TAG]NAND Flash[/TAG] 128 gigabit (Gb) như một kết quả của việc hợp tác giữa hai hãng để tạo nên liên doanh Intel Micron Flash Technologies (IMFT). Chip nhớ này được chế tạo trên dây chuyền công nghệ 20nm và có thể lưu trữ mức dung lượng 128Gb (tương đương 16GB) trên một đế (die) chỉ nhỏ bằng đầu ngón tay. So với thế hệ [TAG]NAND 64Gb[/TAG], mật độ lưu trữ của chip NAND mới được nâng lên gấp đôi. Chip [TAG]NAND 128Gb[/TAG] sẽ được đưa vào sản xuất đại trà trong nửa đầu năm 2012 và các thiết bị trang bị chip này có thể sẽ hiện diện trên thị trường trong năm 2013. Với chip NAND 128Gb, một ổ [TAG]SSD[/TAG] kích thước chuẩn 2,5" có thể chứa được 2TB dữ liệu, trong khi những thanh nhớ nhỏ hơn sử dụng trong [TAG]Ultrabook[/TAG] và [TAG]Macbook Air[/TAG] sẽ đạt mức 1TB.
Chip 128Gb mất nhiều thời gian để đến tay người dùng là do giao diện mới và kích thước "trang dữ liệu" khác so với các phiên bản trước. Các đế bán dẫn trên chip NAND được sắp xếp thành các "trang" (pages), các "trang" này lại được tổ chức thành nhiều "lốc" (block). Thao tác đọc và ghi sẽ xuất hiện trong các trang, trong khi quá trình xóa dữ liệu sẽ diễn ra trong các lốc. Thế hệ NAND 64Gb dùng kích thước trang là 8.192 byte, trong khi NAND 128Gb có kích thước lên đến 16.384 byte. Chính vì thế, bộ điều khiển và phần mềm điều khiển cũng cần được điều chỉnh để tương thích.
Điểm đặc biệt của chip NAND mới đó là cấu trúc hai chiều cho phép thu nhỏ kích thước của các ô nhớ. Cấu hình giao diện ONFI 3.0 trong NAND 128Gb cho tốc độ tối đa 333MT/s (megatransfers per second, đơn vị đo tốc độ dữ liệu trong một đơn vị thời gian của một kênh truyền tải). Tốc độ này nhanh hơn đáng kể so với thế hệ NAND 64Gb, vốn chỉ đạt tốc độ 200MT/s hoạt động trên giao diện ONFI 2.x.
Ngoài việc tăng dung lượng lưu trữ và tốc độ, NAND 128Gb còn tăng số lần mỗi block bị xóa trước khi nó không còn hoạt động được nữa. Tuy NAND 128Gb dùng công nghệ MLC (Multi-level cell, mỗi ô nhớ sẽ lưu giữ được nhiều giá trị dữ liệu khác nhau, thông thường là 4 giá trị, tương đương 2 bit) nhưng dù bị thu nhỏ kích thước nhưng số lần ghi không giảm đi so với thế hệ trước, tức có thể hoạt động được khoảng 5.000 đến 10.000 lần ghi/xóa. Có được điều này là do thiết kế cổng kim loại và vật liệu có hằng số điện môi cao (Hi-K) cho phép chế tạo bóng bán dẫn nhỏ hơn nhưng không ảnh hưởng tới sức chịu đựng. IMFT nói rằng đây là lần đầu tiên họ sử dụng thiết kế này để chế tạo chip NAND.
Kích thước nhỏ chỉ bằng đầu ngón tay nhưng có thể chứa được 16GB dữ liệu
