Theo nhiều thông tin rò rỉ, Iphone 6S sẽ chính thức ra mắt và ngày 9/9 tới đây cùng với các siêu phẩm nhà Táo khác như iphone 6C và iphone 6S Plus. Mới đây, trên trang test hiệu năng smartphone nổi tiếng Geekbench cho thấy chip 3 nhân, RAM 2GB của Iphone 6s "ăn đứt" chip 8 nhân của điện thoại Samsung Galaxy S6 Edge.
Iphone 6S được trang bị chip A9 3 nhân mạnh mẽ hơn Samsung Galaxy S6 Edge
Bản mẫu iphone 6S được chuyên trang đánh giá hiệu năng smartphone Geekbench lấy thử nghiệm có bộ vi xử lý RAM 2 GB, chip A9 3 nhân, xung nhịp 1,5 GHz. Bên cạnh đó là 2 mẫu smartphone Android khác là HTC One M9 chip xử lý 64-bit Snapdragon 810. 8 nhân và Samsung Galaxy S6 Edge sử dụng chip Exynos 7420 kiến trúc 64 bit 8 nhân.
Iphone 6S được trang bị chip A9 3 nhân mạnh mẽ hơn Samsung Galaxy S6 Edge
Bản mẫu iphone 6S được chuyên trang đánh giá hiệu năng smartphone Geekbench lấy thử nghiệm có bộ vi xử lý RAM 2 GB, chip A9 3 nhân, xung nhịp 1,5 GHz. Bên cạnh đó là 2 mẫu smartphone Android khác là HTC One M9 chip xử lý 64-bit Snapdragon 810. 8 nhân và Samsung Galaxy S6 Edge sử dụng chip Exynos 7420 kiến trúc 64 bit 8 nhân.
Kết quả điểm benchmark trong bài test đơn nhân
Mặc dù bị "lép vế" về số nhân và Galaxy S6 edge và HTC One M9 nhưng kết quả test hiệu năng của Iphone 6S vô cùng ấn tượng. iPhone 6s vượt trội hơn hẳn ở cả 2 chế độ nhân single-core và đa nhân multi-core. Ở chế độ single-core, Iphone 6S đạt 1.811 điểm benchmark trong khi đó Galaxy S6 edge đạt 1.492 điểm và HTC One M9 đạt 1.232 điểm. Trong bài test đa lõi, số điểm benchmark của iphone 6s là 4.577 điểm, cao hơn 30% so với HTC One M9.
Kết quả điểm benchmark trong bài test đơn nhân
Như vậy, sau một thời gian dài trung thành với RAM 1GB thì nay Apple đã thay da đổi thịt cho Iphone 6S bằng cách nâng cấp RAM lên 2GB. Điện thoại mới của Apple hứa hẹn sẽ mang tới cho người dùng nhiều trải nghiệm thú vị và ấn tượng hơn hẳn so với những thế hệ Iphone trước đây.