Samsung vừa cho biết rằng họ đã bắt đầu sản xuất hàng loạt các chip nhớ flash 3D Vertical NAND (V-NAND) đầu tiên trên thế giới. Mỗi con chip có dung lượng 128 Gigabit, tức 16 Gigabyte, cao gấp đôi so với những chip NAND dùng công nghệ hai chiều đang được sử dụng trong các thiết bị lưu trữ hiện nay. Bên cạnh đó, hiệu năng hoạt động của sản phẩm cũng cao hơn so với một con chip phẳng sở hữu cùng diện tích. Samsung cho biết chip 3D V-NAND sẽ có mặt trong cả các sản phẩm tiêu dùng lẫn thiết bị cho doanh nghiệp, từ bộ nhớ nhớ dạng nhúng cho đến SSD.
Samsung tiết lộ thêm rằng những chip 3D V-NAND được cấu tạo từ các cell nhớ xếp chồng lên nhau theo chiều dọc, mỗi cell được thiết kế dựa trên công nghệ Charge Trap Flash (CTF). Đây là kĩ thuật dùng để tạo ra các chip NAND flash sử dụng lớp phim silion nitride để chứa điện tử chứ không dùng silicon đa tinh thể như kĩ thuật "Floating Gate" thông thường. CTF giúp các nhà sản xuất tiết kiệm chi phí sản xuất và rút ngắn thời gian phát triển sản phẩm. Để liên kết các "tầng" cell trong sản phẩm, Samsung sử dụng một công nghệ nội liên kết cũng theo chiều dọc có khả năng kết nối tối đa 24 cell với nhau.
Kiến trúc ba chiều kết hợp với công nghệ CTF cũng giúp Samsung tránh được hiện tượng xung đột giữa các cell nhớ, điều mà những chip nhớ hai chiều gặp phải khi quy trình chế tạo ngày càng nhỏ đi, từ 20nm xuống 14nm và thậm chí là 10nm. Nhờ loại bỏ sự xung đột nên tính ổn định và hiệu năng của chip 3D V-NAND trở nên tốt hơn. Samsung nói chip nhớ mới của mình có độ ổn định cao hơn từ 2 đến 10 lần, tốc độ ghi thì nhanh hơn gấp 2 lần so với chip NAND floating gate.
Được biết công nghệ 3D Vertical NAND đã được Samsung nghiên cứu và phát triển trong vòng 10 năm. Hiện hãng đang chờ cấp 300 bằng sáng chế liên quan đến bộ nhớ 3D. Trong thời gian tới hãng sẽ tiếp tục phát triển chip 3D V-NAND với dung lượng và hiệu năng cao hơn.
Nguồn: Samsung (thông qua BusinessWire)
