Samsung vừa cho biết rằng họ đã phát triển thành công bộ nhớ DRAM LPDDR4 đầu tiên dành cho thiết bị di động với dung lượng 8 gigabit (Gb), tương đương 1 gigabyte (GB). Con chip này được sản xuất dựa trên quy trình 20nm và nhờ vậy mà nó đạt được mật độ bộ nhớ cao nhất thế giới cho một chip DRAM. Samsung chia sẻ chuẩn LPDDR4 mang lại hiệu năng tốt hơn 50% so với LPDDR3/DDR3 trong khi mức độ tiêu thụ năng lượng lại thấp hơn 40% (chỉ 1,1V). Hãng nói thêm rằng một "gói" (package) có thể chứa tối đa 4 chip 8Gb, như vậy thiết bị di động sẽ có tổng dung lượng RAM lên tới 4GB. Hiện nay RAM trên mobile cao nhất cũng chỉ mới đến 3GB mà thôi.
Con chip LPDDR4 8Gb nói trên còn sử dụng giao tiếp Low Voltage Swing Terminated Logic (LVSTL), vốn được Samsung đề xuất lên Hiệp hội Vi điện tử (JEDEC) và đã trở thành tiêu chuẩn cho DRAM LPDDR4. Giao diện này cho phép chip nhớ truyền dữ liệu qua mỗi chân tiếp xúc với tốc độ tối đa là 3200Mbps (400MB/s), gấp đôi so với tốc độ của DRAM LPDDR3 hiện tại.
Samsung nói nhờ có dòng bộ nhớ mới này mà "các thiết bị di động sẽ chạy ứng dụng nhanh và nhạy hơn, có nhiều tính năng mạnh mẽ hơn, màn hình độ phân giải cao hơn và thời lượng dung pin được tối ưu hóa". Hãng muốn sản phẩm của mình sẽ được dùng trong "thị trường di động cao cấp" với các smartphone, tablet và thậm chí là cả laptop siêu mỏng được trang bị màn hình Ultra-HD. Các hệ thống mạng hiệu suất cao cũng là đích đến của chip nhớ LPDDR4 8Gb. Chip sẽ bắt đầu được sản xuất rộng rãi trong năm sau.
Nguồn: Samsung Tomorrow
